数据列表：BSL806N

标准包装：3,000

类别：分立半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：2.3A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：57 毫欧 @ 2.3A，2.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：750mV @ 11µA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：1.7nC @ 2.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：259pF @ 10V

功率 - 最大值：500mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：PG-TSOP6-6

其它名称：BSL806N L6327-NDBSL806NL6327BSL806NL6327HTSA1SP000464844